https://www.bit-tech.net/reviews/tech/memory/the_secrets_of_pc_memory_part_3/5
DDR2 台式机模块由 240 针连接接口组成。
JEDEC 定义的 DDR2 工作电压为 1.8V，然而，一些厂商生产的高性能模块可在高达 2.4V 的电压下运行，并且仍然提供保修。与之相反，一些廉价模块缺乏良好的散热，为了长期可靠的运行，需要主动降低电压。
我们最近就更高的 DRAM 电压及其对寿命的影响向镁光科技计算部门高级市场经理 Brett Williams 进行了咨询。例如，我们询问了一个典型的 2.0V 电压运行的内存模块；“ [它] 的寿命实际上会比 1.8V 模块短。现在，当我说‘寿命短’时……这可能会或可能不会成为您的顾虑。在 1.8V 电压下，该模块可能可以使用长达 200 年。在 2.0V 电压下，它可能可以使用长达 10 年。但您的系统很可能会在三到五年后就被丢弃：更换内存或升级。 ”
JEDEC 规定 DDR2的最高工作频率是 800MHz，因此超过 800MHz 的速度被认为超出了行业标准，需要主板特别支持。
需要注意的是，JEDEC 规范更关注“安全”冗余度。这是为了让所有的符合 JEDEC 标准的 RAM 能够适配最广泛的主板和芯片组，因此JEDEC DDR 标准更多地关注信号可靠性而非内存速度。
以瓦特/千兆字节/秒为单位的功率与吞吐量比的提高是一个积极的趋势，但许多 DDR2 台式机主板（BIOS）和内存（SPD）在出厂时就已预编程为在 1.85V 至 1.95V 的电压下运行，以应对更广泛的稳定性问题。
值得一提的是，镁光公司推出的一类特殊 1,066MHz DDR2 DRAM 原生电压为 1.8V，但仍符合 JEDEC 的要求。通常只有 800MHz 内存的额定电压为 1.8V，但这是 DDR2 市场上唯一一款原生 1,066MHz DRAM，因此特别适合以 1,066MHz 内存速度运行并可超频的 AMD 新款 Phenom CPU。Brett Williams 解释了美光公司如何通过“大幅提升利润率”实现这一目标。他告诉我们，美光公司的 D9 基本上采用了比许多竞争对手更先进的制造工艺：美光公司采用 78nm 工艺，而其他公司采用 95nm 工艺。“正是工艺和设计技术的结合，帮助美光公司实现了更高的内存频率，同时保持了最宽的信号传输裕度。 ”镁光科技的 Kirstin Bordner 为我们提供了需要注意的 D9 特定标识符，这些标识符指示 1.8V 1,066MHz DRAM。
- D9HCD MT47H64M8B6-25:D
- D9GKX MT47H64M8B6-25E:D
- D9GMH MT47H64M8B6-3:D
对称 T 型分支拓扑
PC 内存的秘密：第 3 部分
https://www.bit-tech.net/reviews/tech/memory/the_secrets_of_pc_memory_part_3/6
DDR2 与 DDR1 共享类似的架构，称为 T-Branch 拓扑。然而，DDR2 与上一代产品的不同之处在于它采用了对称设计。因此，每个 DRAM 芯片的命令、地址和时钟总线完全均衡，从而提高了高频信号的质量，因为更好的对称性可以降低信号抖动。
这种设计在减少 SDR 和 DDR1 总线拓扑中常见的非单调性信号（non-monotonic signal behaviour）行为方面取得了重大改进。
LAB-Z注释：非单调性（non monotonic）问题指的是信号在上升过程中出现了部分下降的情况【参考1】
绝大多数非单调性都是由复杂的信号拓扑造成的。在一个CPU或DSP的本地总线上，非单调性问题最常见。非单调性按表现形式可以分为两种：回钩和台阶。
对于一个沿有效的时钟来说，信号沿上的回钩和台阶是致命的。因为一个非单调性的时钟沿，可能被接收端认作多个有效沿，或在器件内部产生亚稳态，导致时序逻辑的功能错误。对于数据来说，非单调性的危害主要是造成时间裕量的减少，这也是复杂的总线系统往往需要进行时序仿真的原因之一。
参考：
T-Branch 仍然会导致较长的命令-地址-时钟总线和较短的数据总线之间出现时序偏差。这是因为命令-地址-时钟 T-Branch 总线具有多个分支，而数据总线则是直接连接。这在 DDR2 下不是一个大问题，但在 DDR3 速度等级中已得到解决。
数据预取
DDR2 采用“4n 预取”设计，而非 DDR1 的“2n 预取”。在每个周期，它能够将来自内部存储库的 4 位数据排列到 IO 缓冲区中，然后再通过数据总线传输出去。
据 JEDEC DRAM 委员会成员、前 ATI Technologies（现 AMD）成员 Joe Macri 介绍，4n-Prefetch 架构的主要目的是降低 DRAM 核心频率以满足更高数据速率的需求。这样，DRAM 核心就能以数据总线频率的四分之一运行。
这种设计的直接优势在于能够维持相对成熟的制造工艺，而无需进行大规模的重新设计。它能够缓解 DDR2 芯片（尤其是具有更高数据速率和密度的芯片）的产能提升和良率压力。