Step to memory 014 超频和波形

https://www.bit-tech.net/reviews/tech/memory/the_secrets_of_pc_memory_part_3/11

当用户对计算机内存进行超频时,他们实际上是在压缩数据眼的大小,并通过以更高的频率运行在多个级别上改变波形,从而可以在规定时间内传输更多数据。然而,这会带走预先设定的安全裕度。

这是一门“黑暗艺术”,因为超频者无法观察或想象起作用的多维因素;相反,他们在稳定性、系统的整体“感觉”和传统的反复试验中寻找迹象,因为每个因素都可能并且将会相互作用并影响无数其他因素,最终达到新的波动平衡。

通常,提高 DRAM 电压可以提高内存速度,“但这也取决于芯片的架构”,镁光科技计算部门高级营销经理 Brett Williams 解释说。

如果电压设计为稳压,那么增加外部电压可能对芯片没有任何影响,因为芯片上有一个稳压器,可以将内核保持在特定电压。如果芯片未稳压,那么增加外部电压时,电压会直接进入内核,从而提高内核电压,使器件运行速度更快。作为发烧友,我们常常享受主板BIOS中各种

DRAM调整配置带来的便利。虽然这些配置可能很有用,但普通家庭用户对大多数功能并不十分了解,因此无法建立有效性能改进的基础。

与其他晦涩难懂的BIOS配置术语一样,VREF、时钟偏差和驱动强度值更有可能被研发工程师用来测试主板在各种内存模块下的稳定性,因为他们可以使用其他工程设备来简化工作。

新用户在调整这些BIOS功能时应小心谨慎,因为大多数功能配置错误不会造成严重后果,但电压选项却并非如此。有一个稳定阶段被称为“伪稳定”或“准稳定”——在这个阶段,系统在某些情况下稳定,但在其他情况下不稳定。完美的稳定性是不可能实现的,因为每次 BIOS 更改都会影响许多其他更改。这可能只是因为没有办法校正波形。

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一次24小时内存压力测试的成功并不能保证在完全相同的系统配置下,第二次测试也能同样成功。这种“伪稳定性”之所以会逐渐增加,根本原因在于信号冗余度的不断减小。冗余度的逐渐减小将使工艺、电压和温度 (PVT) 变化的负面影响呈指数级增长。

事实上,许多运行在 DDR2 800MHz 及更高频率的台式机系统确实会产生错误。我们通常认为的稳定,在 99.99% 的稳定性下也未必完美无缺。虽然 0.01% 的错误率听起来可能不多,但每秒传输的数据比特数却可能迅速增加到相当大的数量。

然而,有些错误可能对系统并非致命的;例如,它可能只会导致像素变色,或在电影播放过程中产生无法察觉的 MP3 噪音。

这也是为什么服务器和工作站会使用更昂贵的带有纠错码 (ECC) 的内存模块,而这些模块的运行速度通常比台式机内存模块慢的原因之一。美光科技的 Brett Williams 认为:“ (为了让内存跟上 CPU 的步伐),架构可能需要做出一些改变。无论它被称为 DDR 还是其他名称,DDR3 之后都会有下一代 DRAM。它会是革命性的还是渐进式的?这还有待观察。事实上,这个问题目前正在研究之中…… ”

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